台积电全面展开1.4nm工艺研发 2nm工艺2025年量产

2023-12-14 10:35:56 0 31

  台积电在近日举办的 IEEE 国际电子器件会议(IEDM)的小组研讨会上透露,其 1.4nm 级工艺制程研发已经全面展开。同时,台积电重申,2nm 级制程将按计划于 2025 年开始量产。

台积电全面展开1.4nm工艺研发 2nm工艺2025年量产

  根据 SemiAnalysis 的 Dylan Patel 给出的幻灯片,台积电的 1.4nm 制程节点正式名称为 A14。IT之家注意到,目前台积电尚未透露 A14 的量产时间和具体参数,但考虑到 N2 节点计划于 2025 年底量产,N2P 节点则定于 2026 年底量产,因此 A14 节点预计将在 2027-2028 年问世。

  在技术方面,A14 节点不太可能采用垂直堆叠互补场效应晶体管(CFET)技术,不过台积电仍在探索这项技术。因此,A14 可能将像 N2 节点一样,依赖于台积电第二代或第三代环绕栅极场效应晶体管(GAAFET)技术。

  N2 和 A14 等节点将需要系统级协同优化,才能真正发挥作用,并实现新的性能、功耗和功能水平。

  尚不清楚台积电是否计划在 2027-2028 年时间段为 A14 制程采用 High-NA EUV 光刻技术,考虑到届时英特尔(以及可能其他芯片制造商)将采用和完善下一代数值孔径为 0.55 的 EUV 光刻机,台积电使用这些机器应该相当容易。然而,由于高数值孔径 EUV 光刻技术将掩膜尺寸减半,其使用将给芯片设计人员和制造商带来一些额外的挑战。

  当然,从现在到 2027-2028 年,很多事情都可能会发生变化,因此不能做出太多的假设。但可以肯定的是,台积电的科学家和开发人员正在致力于下一代生产节点的研发。

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